Barrieren der Halbleiter-Siliciumwafer-Industrie
Barrieren der Halbleiter-Siliciumwafer-Industrie – Fotolackbeschichter – Cheersonic
Die Halbleiterwaferindustrie hat hohe Barrieren, und der First-Mover-Vorteil und der Skaleneffekt sind prominent
Technische Barrieren: Die technischen Parameter von Halbleiter-Siliziumwafern sind hochgradig erforderlich, und jede Prozessverbindung muss über einen langen Zeitraum akkumuliert werden. Die Kernprozesse von Halbleitersiliziumwafern umfassen Einkristallverfahren, Schneideverfahren, Schleifverfahren, Polierverfahren, Epitaxieverfahren usw. Die Technologie weist einen hohen Spezialisierungsgrad auf. Unter ihnen ist der Einkristallprozess die Kerntechnologie, die die Größe, den spezifischen Widerstand, wichtige technische Indikatoren wie Reinheit, Sauerstoffgehalt, Versetzung, Kristalldefekte usw. im Einkristallzüchtungsprozess bestimmt, auf die geachtet werden muss Temperaturkontrolle und Ziehgeschwindigkeit. Wafer-Schleif- und -Polierprozesse bestimmen die Dicke, Oberflächenebenheit, Oberflächenreinheit, Oberflächenkörnigkeit und Verzug von Siliziumwafern. Der Fokus des Epitaxieprozesses liegt darauf, die Gleichmäßigkeit der Dicke der Epitaxieschicht und die Gleichmäßigkeit des spezifischen Widerstands der Epitaxieschicht innerhalb des Chips sicherzustellen.
Hindernisse für die Kundenzertifizierung: Chiphersteller sind bei der Einführung neuer Lieferanten zurückhaltend und haben lange Zertifizierungszyklen. Halbleiter-Siliziumwafer sind ein wichtiger Rohstoff für Chiphersteller zur Herstellung von Halbleiterprodukten. Chiphersteller sind bei der Einführung neuer Anbieter zurückhaltend. Um die Stabilität und Konsistenz der Produktqualität zu gewährleisten, ist ein langer Zertifizierungszyklus erforderlich. Normalerweise verlangen Chipherstellungsunternehmen von Siliziumwaferlieferanten, dass sie einige Siliziumwafer für ihre Testproduktion bereitstellen. Nach bestandener interner Zertifizierung sendet das Chipherstellungsunternehmen die Produkte an nachgelagerte Kunden und holt die Genehmigung ihrer Kunden ein. Der Lieferant wird zertifiziert und schließlich wird der Beschaffungsvertrag formell unterzeichnet.
Kapitalbarrieren und Skalenbarrieren: Die Halbleiterwaferindustrie ist eine kapitalintensive Branche und erfordert eine bestimmte Umsatzgröße, um profitabel zu sein. Die großtechnische Produktion von Halbleiter-Siliciumwafern erfordert eine große Investitionssumme. Beispielsweise ist eine wichtige Produktionsanlage mehrere zehn Millionen Yuan wert, und die Investitionssumme für eine groß angelegte Siliziumwafer-Produktionslinie beträgt eine Milliarde Yuan. Gleichzeitig müssen Halbleiterwaferunternehmen aufgrund der hohen Investitionen in Sachanlagen in der Anfangsphase eine bestimmte Umsatzgröße erzielen, bevor sie Gewinne erzielen können. Der Betriebsdruck in der Anfangsphase ist relativ groß und die Bruttogewinnrate kann negativ sein.
Talentbarrieren: Halbleiter-Siliciumwafer-Unternehmen brauchen zusammengesetzte Talente. Der F&E- und Produktionsprozess von Halbleitersiliziumwafern ist relativ komplex und umfasst die Schnittmenge von Festkörperphysik, Quantenmechanik, Thermodynamik, Chemie und anderen multidisziplinären Bereichen. Daher sind zusammengesetzte Talente mit umfassenden Fachkenntnissen und reichhaltiger Produktionserfahrung gefragt.
Das Ultraschallbeschichtungssystem kann eine fortschrittliche Schichttechnologie verwenden, um die Durchflussrate, die Beschichtungsgeschwindigkeit und die Auftragsmenge präzise zu steuern. Das Sprühformen mit niedriger Geschwindigkeit definiert ein zerstäubendes Sprühen als ein präzises, kontrollierbares Muster, das ein übermäßiges Sprühen vermeidet, wenn sehr dünne und gleichmäßige Schichten erzeugt werden. Es stellt sich heraus, dass direktes Sprühen mit Ultraschalltechnologie eine zuverlässige und effektive Methode ist, um Fotolack auf 3D-Mikrostrukturen abzuscheiden, wodurch Geräteausfälle reduziert werden, die durch übermäßigen Kontakt von Metall mit Ätzmittel verursacht werden.
Ultraschallsprühsysteme haben sich für eine Vielzahl von Anwendungen als geeignet erwiesen, die gleichmäßige, wiederholbare Fotolack- oder Polyimidfilmbeschichtungen erfordern. Das Beschichtungssystem von Cheersonic kann Dicken von Submikron bis über 100 Mikron steuern und jede Form und Größe beschichten. Es ist eine praktikable Alternative zu anderen Beschichtungstechnologien wie Schleuderbeschichtung und herkömmlicher Sprühbeschichtung.
Die blockierungsfreie Ultraschallbeschichtungstechnologie von Cheersonic ist bekannt für ihre ultradünnen Beschichtungen im Mikrometerbereich aus Funktions- und Schutzmaterialien. Die Ultraschallvibration der Düse dispergierte die Teilchen in der Suspension wirksam und erzeugte eine sehr gleichmäßige Teilchendispersion in der Filmschicht, während sich die leitfähigen Teilchen nicht aus der Suspension absetzten.
