Megasonic-Reinigungssystem
Wir sind auf die Bereitstellung maßgeschneiderter Lösungen spezialisiert, um den Anforderungen aufstrebender Spitzenindustrien wie Nanotechnologie, Brennstoffzellen, Halbleiter, medizinische Beschichtungen, Sprühpyrolyse und mehr gerecht zu werden.
Megasonic-Reinigungssystem Die Megasonic-Reinigungstechnologie bewahrt nicht nur die Vorteile der Ultraschall-Reinigungstechnologie, sondern überwindet auch einige ihrer Mängel. Der Mechanismus der Megaschall-Reinigungstechnologie ist die chemische Reaktion chemischer Reinigungsmittel in Kombination mit hochfrequenten Vibrationsscheiben zur Reinigung. Bisher ist die Megaschall-Reinigungsmethode die am weitesten verbreitete und effektivste Methode zur Reinigung von Polierwafern. Im Allgemeinen beträgt die für die Entfernung durch Megaschallreinigung geeignete Partikelgröße 0,1 bis 0,3 μm und die für die Entfernung durch Ultraschallreinigung geeignete Partikelgröße liegt über 0,4 μm. Die Wirkung der Megaschallreinigung ist sanfter. Daher sollte eine geeignete Vibrationsfrequenz entsprechend der Größe der zu entfernenden Partikel und der Aufprallkraft ausgewählt werden, der das Gerät auf der Waferoberfläche standhalten kann.
Anwendbare Branchen
- CMP chemisch-mechanisches Polieren
- Reinigung vor dem Verkleben
- Maskenreinigung
- Entwicklung
Abheben von Metallen
Nassätzung
Linsenreinigung
- Präzisionsreinigung in der Mikroelektronikindustrie wie z. B. Bildschirmen
Verarbeitbares Wafermaterial
Silizium
- GaAs
Indiumphosphid
Galliumnitrid
Siliziumkarbid
Lithiumniobat
Lithiumtantalat usw.
IHREN PROZESS PERFEKTIONIEREN
Merkmale
• Reduzierte Reinigungsschwierigkeiten
• Erhöhte Reinigungseffizienz
• Kann in mehreren Bereichen eingesetzt werden, kompatibel mit 8″ und 12″
• Reduzierter Chemikalienverbrauch
• Es entsteht keine chemische Verschmutzung
• Keine Beschädigung der Substratoberfläche
• Kontrollieren Sie die Dicke von Silizium- und Oxidschichten
• Keine Gefahr, dass leitfähiges Material herunterfällt
Grundlegende Spezifikationen
• Megaschallfrequenz 1 MHz
• Leistungsdichte <2W/cm2
• Gehäusematerial PEEK
• Vibratormaterial Quarz oder Saphir
• Kühlluftstrom 10 l/min
• Flüssigkeitsdurchfluss 0,5–3,0 l/min
• Anwendbare Wafer 4″, 6″, 8″, 12″
• Flüssigkeitstemperatur <70°C
• Umgebungstemperatur 10–40 °C
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