Megaschall-Reinigungsdüse
Wir sind auf die Bereitstellung maßgeschneiderter Lösungen spezialisiert, um den Anforderungen aufstrebender Spitzenindustrien wie Nanotechnologie, Brennstoffzellen, Halbleiter, medizinische Beschichtungen, Sprühpyrolyse und mehr gerecht zu werden.
Das Prinzip der Megaschalldüsenreinigung durch Sprühen beruht hauptsächlich auf der Wirkung von Schalldruckgradient, Partikelgeschwindigkeit und Schallströmung, während der Kavitationseffekt zweitrangig ist. gereinigt. Während der Reinigung entstehen keine Blasen wie bei der Ultraschallreinigung, sondern der durch hochfrequente Schallwellenenergie in der Reinigungslösung gebildete Hochgeschwindigkeits-Mikrowasserstrom trifft kontinuierlich auf die Oberfläche des Wafers, so dass die Oberfläche des Objekts kleiner ist als 0,2 μm. Die Schadstoffe und Feinpartikel werden gewaltsam entfernt und eingetragen. in die Reinigungslösung geben.
Anwendbare Branchen
- CMP chemisch-mechanisches Polieren
- Reinigung vor dem Verkleben
- Maskenreinigung
- Entwicklung
- Abheben von Metallen
- Nassätzung
- Linsenreinigung
- Präzisionsreinigung in der Mikroelektronikindustrie wie z. B. Bildschirmen
Verarbeitbares Wafermaterial
Silizium
GaAs
Indiumphosphid
- Galliumnitrid
Siliziumkarbid
Lithiumniobat
Lithiumtantalat usw.
IHREN PROZESS PERFEKTIONIEREN
Merkmale
• Kann winzige Partikel entfernen, die kleiner als 0,2 μm sind
• Vermeiden Sie mögliche Beschädigungen der Objektoberfläche durch Kavitation
• Hochdichte Energie sorgt für eine effiziente Reinigung
• Hochgeschwindigkeitsströmung in linearer Richtung verhindert, dass Verunreinigungen erneut an der Oberfläche des Objekts anhaften
• Umfassendes nichtmetallisches Material mit hohem Korrosionsschutz, geeignet für verschiedene Säuren, Basen und organische Lösungsmittel
• Der Megaschallgenerator der dritten Generation der Halbleitertechnologie realisiert vollständig den digitalen Hochfrequenz-Hochleistungsantrieb
Grundlegende Spezifikationen
• Megaschallfrequenz 1000 kHz
• Maximale Leistung 40 W
• Maximale Leistung 1200–4800 W
• Gehäusematerial PVC
• Gehäusematerial PEEK, PCTFE
• Geeignet für Wafer 6″, 8″, 12″
• Flüssigkeitstemperatur <70°C
• Umgebungstemperatur 10–40 °C
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