Barreras de la industria de obleas de silicio semiconductor

Barreras de la industria de obleas de silicio semiconductor – Cheersonic

La industria de obleas de semiconductores tiene grandes barreras, y la ventaja de ser el primero en moverse y el efecto de escala son prominentes.

Barreras técnicas: los parámetros técnicos de las obleas de silicio semiconductor son muy necesarios y cada enlace de proceso debe acumularse durante mucho tiempo. Los procesos principales de las obleas de silicio semiconductor incluyen el proceso de cristal único, el proceso de corte, el proceso de molienda, el proceso de pulido, el proceso de epitaxia, etc. La tecnología tiene un alto grado de especialización. Entre ellos, el proceso de cristal único es la tecnología más central, que determina el tamaño, la resistividad, los indicadores técnicos clave como la pureza, el contenido de oxígeno, la dislocación, los defectos del cristal, etc., en el proceso de crecimiento de cristal único, deben prestar atención a Control de temperatura y tasa de tracción. Los procesos de esmerilado y pulido de obleas determinan el grosor, la planitud de la superficie, la limpieza de la superficie, la granularidad de la superficie y la deformación de las obleas de silicio. El enfoque del proceso epitaxial es asegurar la uniformidad del espesor de la capa epitaxial y la uniformidad dentro del chip de la resistividad de la capa epitaxial.

Obstáculos para la certificación de los clientes: los fabricantes de chips son cautelosos a la hora de introducir nuevos proveedores y tienen largos ciclos de certificación. Las obleas de silicio semiconductor son una materia prima importante para que los fabricantes de chips produzcan productos semiconductores. Los fabricantes de chips son cautelosos a la hora de introducir nuevos proveedores. Para garantizar la estabilidad y consistencia de la calidad del producto, se requiere un largo ciclo de certificación. Por lo general, las empresas de fabricación de chips requerirán que los proveedores de obleas de silicio proporcionen algunas obleas de silicio para su producción de prueba. Después de aprobar la certificación interna, la empresa de fabricación de chips enviará los productos a los clientes intermedios y obtendrá la aprobación de sus clientes. Se certifica al proveedor y finalmente se firma formalmente el contrato de adquisición.

Barreras de capital y barreras de escala: la industria de obleas de semiconductores es una industria intensiva en capital y requiere una cierta escala de ventas para ser rentable. La producción a gran escala de obleas de silicio semiconductor requiere una gran inversión. Por ejemplo, un equipo de producción clave vale decenas de millones de yuanes, y el monto de inversión de una línea de producción de obleas de silicio a gran escala es de mil millones de yuanes. Al mismo tiempo, debido a la gran cantidad de inversión en activos fijos en la etapa inicial, las empresas de obleas de semiconductores deben formar una cierta escala de ventas antes de que puedan obtener ganancias. La presión operativa en la etapa inicial es relativamente grande y la tasa de ganancia bruta puede ser negativa.

Barreras de talento: las empresas de obleas de silicio semiconductor necesitan talentos compuestos. El proceso de I+D y producción de obleas de silicio semiconductor es relativamente complejo e implica la intersección de la física del estado sólido, la mecánica cuántica, la termodinámica, la química y otros campos multidisciplinarios. Por lo tanto, se requieren talentos compuestos con amplios conocimientos profesionales y rica experiencia en producción.

El sistema de recubrimiento ultrasónico puede utilizar tecnología de capas avanzada para controlar con precisión el caudal, la velocidad del recubrimiento y la cantidad de deposición. La formación de aspersión a baja velocidad define una aspersión atomizadora como un patrón preciso y controlable, que evita la aspersión excesiva cuando se producen capas muy delgadas y uniformes. Resulta que el rociado directo con tecnología ultrasónica es una forma confiable y efectiva de depositar fotorresistencia en microestructuras 3D, lo que reduce las fallas del equipo causadas por la exposición excesiva del metal al grabador.

Los sistemas de pulverización ultrasónica han demostrado ser adecuados para una variedad de aplicaciones que requieren recubrimientos de película de poliimida o fotorresistentes uniformes y repetibles. El sistema de recubrimiento de Cheersonic puede controlar espesores desde submicrones hasta más de 100 micrones, y puede recubrir cualquier forma o tamaño. Es una alternativa factible a otras tecnologías de recubrimiento, como el recubrimiento por rotación y el recubrimiento por aspersión tradicional.

La tecnología de revestimiento ultrasónico sin bloqueo de Cheersonic es conocida por sus revestimientos ultrafinos de capas micrométricas de materiales funcionales y protectores. La vibración ultrasónica de la boquilla dispersó efectivamente las partículas en la suspensión y produjo una dispersión de partículas muy uniforme en la capa de película, mientras que las partículas conductoras no se asentaron fuera de la suspensión.